제조업체 부품 번호HGTP10N120BN
제조업체 / 브랜드ON Semiconductor
사용 가능한 수량196610 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
제품 카테고리트랜지스터 - IGBT - 단일
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
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부품 번호
HGTP10N120BN
생산 상태 (수명주기)
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제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Not For New Designs
IGBT 형
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
35A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
80A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대
298W
스위칭 에너지
320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형
Standard
게이트 차지
100nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
23ns/165ns
시험 조건
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3
공급 업체 장치 패키지
TO-220AB
무게
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