codice articolo del costruttoreHGTP10N120BN
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible196610 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIGBT 1200V 35A 298W TO220AB
categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
HGTP10N120BN
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Not For New Designs
Tipo IGBT
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)
35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max
298W
Cambiare energia
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input
Standard
Carica del cancello
100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C
23ns/165ns
Condizione di test
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)
-
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / caso
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
HGTP10N120BN

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