製造業者識別番号HGTP10N120BN
メーカー/ブランドON Semiconductor
利用可能な数量196610 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード HGTP10N120BN.pdf

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品番
HGTP10N120BN
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
35A
電流 - コレクタパルス(Icm)
80A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
2.7V @ 15V, 10A
電力 - 最大
298W
スイッチングエネルギー
320µJ (on), 800µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
100nC
Td(オン/オフ)@ 25℃
23ns/165ns
テスト条件
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-220-3
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220AB
重量
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応用
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交換部品
HGTP10N120BN

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品番 メーカー 説明
HGTP10N120BN ON Semiconductor IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
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