HGT1S10N120BNST ON Semiconductor 살수 장치
| 제조업체 부품 번호 | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 | ON Semiconductor |
| 사용 가능한 수량 | 136140 Pieces |
| 단가 | Quote by Email ([email protected]) |
| 간단한 설명 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - IGBT - 단일 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | HGT1S10N120BNST.pdf |
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- 부품 번호
- HGT1S10N120BNST
- 생산 상태 (수명주기)
- Contact us
- 제조업체 리드 타임
- 6-8 weeks
- 조건
- New & Unused, Original Sealed
- 배송 방식
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 부품 상태
- Active
- IGBT 형
- NPT
- 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
- 1200V
- 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
- 35A
- 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)
- 80A
- VCE (on) (최대) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- 전력 - 최대
- 298W
- 스위칭 에너지
- 320µJ (on), 800µJ (off)
- 입력 유형
- Standard
- 게이트 차지
- 100nC
- Td (온 / 오프) @ 25 ° C
- 23ns/165ns
- 시험 조건
- 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
- 역 회복 시간 (trr)
-
- 작동 온도
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 실장 형
- Surface Mount
- 패키지 / 케이스
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 공급 업체 장치 패키지
- TO-263AB
- 무게
- Contact us
- 신청
- Email for details
- 교체 부품
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