Référence fabricantHGT1S10N120BNST
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible136140 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
HGT1S10N120BNST
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
35A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max
298W
Échange d'énergie
320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée
Standard
Charge de porte
100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C
23ns/165ns
Condition de test
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur
TO-263AB
Poids
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Application
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Pièce de rechange
HGT1S10N120BNST

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