NVC3S5A51PLZT1G ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | NVC3S5A51PLZT1G |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Доступное количество | 129910 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | NVC3S5A51PLZT1G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NVC3S5A51PLZT1G в течение 24 часов.
- номер части
- NVC3S5A51PLZT1G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 250 mOhm @ 1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.6V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 6nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 262pF @ 20V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.2W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 3-CPH
- Упаковка / чехол
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- NVC3S5A51PLZT1G
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "NVC3S"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH |