NDPL180N10BG ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | NDPL180N10BG |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Доступное количество | 149090 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | NDPL180N10BG.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NDPL180N10BG в течение 24 часов.
- номер части
- NDPL180N10BG
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 180A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V, 15V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 3 mOhm @ 15V, 50A
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 95nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 6950pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.1W (Ta), 200W (Tc)
- Рабочая Температура
- 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220-3
- Упаковка / чехол
- TO-220-3
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- NDPL180N10BG
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "NDPL"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NDPL070N10BG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 |
| NDPL100N10BG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
| NDPL180N10BG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3 |