Número da peça do fabricanteNSVMUN5212DW1T1G
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível45020 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Categoria de ProdutoTransistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
NSVMUN5212DW1T1G
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequência - Transição
-
Power - Max
250mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
NSVMUN5212DW1T1G

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