Référence fabricantNSVMUN5212DW1T1G
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible45020 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
NSVMUN5212DW1T1G
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
250mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids
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Application
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Pièce de rechange
NSVMUN5212DW1T1G

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