Número da peça do fabricanteMJD112T4G
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível102700 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveTRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
Categoria de ProdutoTransistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
MJD112T4G
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Power - Max
20W
Frequência - Transição
25MHz
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos de fornecedores
DPAK
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
MJD112T4G

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