Número da peça do fabricanteFDP4D5N10C
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível35630 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveFET ENGR DEV-NOT REL
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
FDP4D5N10C
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5065pF @ 50V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores
TO-220-3
Pacote / Caso
TO-220-3
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
FDP4D5N10C

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