FDP4D5N10C ON Semiconductor Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | FDP4D5N10C |
|---|---|
| Hersteller / Marke | ON Semiconductor |
| verfügbare Anzahl | 35630 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | FET ENGR DEV-NOT REL |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | FDP4D5N10C.pdf |
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- Artikelnummer
- FDP4D5N10C
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 100V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 128A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 4.5 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 310µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 68nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 5065pF @ 50V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 2.4W (Ta), 150W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Lieferantengerätepaket
- TO-220-3
- Paket / Fall
- TO-220-3
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- FDP4D5N10C
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