製造業者識別番号NSVBA114YDXV6T1G
メーカー/ブランドON Semiconductor
利用可能な数量138050 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
製品カテゴリトランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード NSVBA114YDXV6T1G.pdf

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品番
NSVBA114YDXV6T1G
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
トランジスタタイプ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
50V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
500nA
周波数 - 遷移
-
電力 - 最大
500mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-563, SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ
SOT-563
重量
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応用
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交換部品
NSVBA114YDXV6T1G

によって作られた関連部品 ON Semiconductor

関連キーワード "NSVBA"

品番 メーカー 説明
NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSVBAS116LT3G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
NSVBAS16TT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
NSVBAS16WT3G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70
NSVBAS19LT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
NSVBAS20LT3G ON Semiconductor DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
NSVBAS21AHT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
NSVBAS21HT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
NSVBAS21HT3G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
NSVBAS21M3T5G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
NSVBAS21SLT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23