NVE4153NT1G ON Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | NVE4153NT1G |
|---|---|
| Produttore / Marca | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 166180 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | NVE4153NT1G.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo NVE4153NT1G entro 24 ore.
- Numero di parte
- NVE4153NT1G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 915mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 230 mOhm @ 600mA, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1.82nC @ 4.5V
- Vgs (massimo)
- ±6V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 110pF @ 16V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 300mW (Tj)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- SC-89
- Pacchetto / caso
- SC-89, SOT-490
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- NVE4153NT1G
Componenti correlati realizzati da ON Semiconductor
.jpg "MC10E137FNR2")
.jpg "2SD1628F-TD-H")
,TO-226_straightlead.jpg "KSP10BU")
Parole chiave correlate per "NVE"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| NVE4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 |