codice articolo del costruttoreNTJD1155LT1G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible30630 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NTJD1155LT1G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Caratteristica FET
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potenza - Max
400mW
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NTJD1155LT1G

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