MVB50P03HDLT4G ON Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | MVB50P03HDLT4G |
|---|---|
| Produttore / Marca | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 88110 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | INTEGRATED CIRCUIT |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MVB50P03HDLT4G.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo MVB50P03HDLT4G entro 24 ore.
- Numero di parte
- MVB50P03HDLT4G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 25 mOhm @ 25A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 100nC @ 5V
- Vgs (massimo)
- ±15V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4.9nF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 125W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- D2PAK-3
- Pacchetto / caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- MVB50P03HDLT4G
Componenti correlati realizzati da ON Semiconductor
,TO-226_bentlead.jpg "P2N2222AZL1G")
Parole chiave correlate per "MVB5"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| MVB50P03HDLT4G | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT |