codice articolo del costruttoreFDD3510H
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible184500 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
FDD3510H
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 40V
Potenza - Max
1.3W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252-4L
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
FDD3510H

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