Référence fabricantFDD3510H
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible184500 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
FDD3510H
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 40V
Puissance - Max
1.3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Package de périphérique fournisseur
TO-252-4L
Poids
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Application
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Pièce de rechange
FDD3510H

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