Référence fabricantNSBA113EF3T5G
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible43700 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR PREBIAS DUAL PNP
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
NSBA113EF3T5G
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
254mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
SOT-1123
Package de périphérique fournisseur
SOT-1123
Poids
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Application
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Pièce de rechange
NSBA113EF3T5G

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