NVMSD6N303R2G ON Semiconductor Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | NVMSD6N303R2G |
|---|---|
| Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
| Cantidad disponible | 165030 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | NVMSD6N303R2G.pdf |
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- Número de pieza
- NVMSD6N303R2G
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 30V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 32 mOhm @ 6A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Vgs (Max)
-
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 950pF @ 24V
- Característica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Disipación de potencia (Máx)
-
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SOIC
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- NVMSD6N303R2G
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| NVMS10P02R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| NVMS4816NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| NVMS5P02R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC |
| NVMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC |