Hersteller-TeilenummerNGTD13T65F2WP
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl103430 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
NGTD13T65F2WP
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
-
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Leistung max
-
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
-
Testbedingung
-
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
Die
Lieferantengerätepaket
Die
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
NGTD13T65F2WP

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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