Hersteller-TeilenummerNGTB03N60R2DT4G
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl62200 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 9A 600V DPAK
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
NGTB03N60R2DT4G
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
9A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
12A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3A
Leistung max
49W
Energie wechseln
50µJ (on), 27µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
27ns/59ns
Testbedingung
300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
65ns
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket
DPAK
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
NGTB03N60R2DT4G

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
NGTB03N60R2DT4G ON Semiconductor IGBT 9A 600V DPAK
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