Hersteller-TeilenummerFDFMA2P029Z-F106
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl169070 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze Beschreibung-20V -3.1A 95 O PCH ER T
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FDFMA2P029Z-F106
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 10V
FET-Eigenschaft
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (Max)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
6-MicroFET (2x2)
Paket / Fall
6-WDFN Exposed Pad
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FDFMA2P029Z-F106

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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