Número da peça do fabricanteIRLI610ATU
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível90550 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
IRLI610ATU
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores
I2PAK (TO-262)
Pacote / Caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
IRLI610ATU

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