Número da peça do fabricanteFDFME2P823ZT
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível123510 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
FDFME2P823ZT
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacote / Caso
6-UFDFN Exposed Pad
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
FDFME2P823ZT

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