Número da peça do fabricanteFDD1600N10ALZ
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Quantidade disponível116630 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
FDD1600N10ALZ
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.61nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 50V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
14.9W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
DPAK
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
FDD1600N10ALZ

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