製造業者識別番号NDD04N60Z-1G
メーカー/ブランドON Semiconductor
利用可能な数量163210 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード NDD04N60Z-1G.pdf

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品番
NDD04N60Z-1G
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4.5V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
29nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
640pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量
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応用
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交換部品
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