製造業者識別番号FDD10N20LZTM
メーカー/ブランドON Semiconductor
利用可能な数量64550 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード FDD10N20LZTM.pdf

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品番
FDD10N20LZTM
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
16nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
585pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
DPAK
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
FDD10N20LZTM

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品番 メーカー 説明
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