codice articolo del costruttoreIRLW610ATM
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible42910 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IRLW610ATM
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IRLW610ATM

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