codice articolo del costruttoreFDMD8900
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible100250 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH 30V POWER
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
FDMD8900
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
Potenza - Max
2.1W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
12-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
12-Power3.3x5
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
FDMD8900

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