FDFME3N311ZT ON Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | FDFME3N311ZT |
|---|---|
| Produttore / Marca | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 182730 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | FDFME3N311ZT.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo FDFME3N311ZT entro 24 ore.
- Numero di parte
- FDFME3N311ZT
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 1.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1.4nC @ 4.5V
- Vgs (massimo)
- ±12V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 75pF @ 15V
- Caratteristica FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.4W (Ta)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 6-MicroFET (1.6x1.6)
- Pacchetto / caso
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- FDFME3N311ZT
Componenti correlati realizzati da ON Semiconductor
-
-
FAIRCHILD4K-Bit Serial CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface (SPI) Synchronous Bus) IC -
-
-
-
-
-
-
-
Parole chiave correlate per "FDFM"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| FDFM2N111 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| FDFM2P110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
| FDFM2P110-ND | FAIRCHILD | FDFM2P110-ND FAIRCHILD IC MLP-6 |
| FDFM2P110_0508 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFM6700 | FAIRCHILD | FDFM6700 FAIRCHILD IC QFN |
| FDFM6890WZ | FAIRCHILD | FDFM6890WZ FAIRCHILD IC DFN-8 |
| FDFMA2N028Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
| FDFMA2N028Z_08 | FAIRCHILD | Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ IC |
| FDFMA2P029Z | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| FDFMA2P029Z_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m IC |
| FDFMA2P853 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |