NTLJS3113PT1G ON Semiconductor Distributeur
                                                | Référence fabricant | NTLJS3113PT1G | 
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor | 
| quantité disponible | 93070 Pieces | 
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) | 
| Brève description | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN | 
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples | 
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | 
| Heure de livraison | 1-2 Days | 
| Code de date (D / C) | New | 
| Télécharger la fiche technique | NTLJS3113PT1G.pdf | 
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- Numéro d'article
 - NTLJS3113PT1G
 
- Statut de production (cycle de vie)
 - Contact us
 
- Délai d'exécution du fabricant
 - 6-8 weeks
 
- État
 - New & Unused, Original Sealed
 
- Manière d'expédition
 - DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
 
- État de la pièce
 - Active
 
- FET Type
 - P-Channel
 
- La technologie
 - MOSFET (Metal Oxide)
 
- Drain à la tension de source (Vdss)
 - 20V
 
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
 - 3.5A (Ta)
 
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
 - 1.5V, 4.5V
 
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
 - 40 mOhm @ 3A, 4.5V
 
- Vgs (th) (Max) @ Id
 - 1V @ 250µA
 
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
 - 15.7nC @ 4.5V
 
- Vgs (Max)
 - ±8V
 
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
 - 1329pF @ 16V
 
- FET Caractéristique
 - 
- Dissipation de puissance (Max)
 - 700mW (Ta)
 
- Température de fonctionnement
 - -55°C ~ 150°C (TJ)
 
- Type de montage
 - Surface Mount
 
- Package de périphérique fournisseur
 - 6-WDFN (2x2)
 
- Paquet / cas
 - 6-WDFN Exposed Pad
 
- Poids
 - Contact us
 
- Application
 - Email for details
 
- Pièce de rechange
 - NTLJS3113PT1G
 
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