Référence fabricantNCV5701BDR2G
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible54880 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionHIGH CURRENT IGBT GATE DR
catégorie de produitDurée de conservation
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
NCV5701BDR2G
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Configuration pilotée
-
Type de canal
-
Nombre de pilotes
-
Type de porte
-
Tension - Alimentation
-
Tension logique - VIL, VIH
-
Courant - sortie de crête (source, évier)
-
Type d'entrée
-
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap)
-
Rise / Fall Time (Typ)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
-
Paquet / cas
-
Package de périphérique fournisseur
-
Poids
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Application
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Pièce de rechange
NCV5701BDR2G

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