Référence fabricantIRLW630ATM
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible24920 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IRLW630ATM
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 25V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Package de périphérique fournisseur
I2PAK (TO-262)
Paquet / cas
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IRLW630ATM

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