Référence fabricantEFC6612R-TF
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible47200 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
EFC6612R-TF
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Not For New Designs
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss)
-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Puissance - Max
2.5W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur
6-CSP (1.77x3.54)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
EFC6612R-TF

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