Número de pieza del fabricanteNTLJF3118NTAG
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Cantidad disponible139480 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
NTLJF3118NTAG
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WDFN (2x2)
Paquete / caja
6-WDFN Exposed Pad
Peso
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Solicitud
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Repuesto
NTLJF3118NTAG

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