Número de pieza del fabricanteFDFMA2P853T
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Cantidad disponible58300 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
FDFMA2P853T
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
MicroFET 2x2 Thin
Paquete / caja
6-UDFN Exposed Pad
Peso
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Solicitud
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Repuesto
FDFMA2P853T

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