Hersteller-TeilenummerFDP8D5N10C
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl137670 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungFET ENGR DEV-NOT REL
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FDP8D5N10C
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2475pF @ 50V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
TO-220-3
Paket / Fall
TO-220-3
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FDP8D5N10C

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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