Hersteller-TeilenummerFDD86113LZ
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl39900 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FDD86113LZ
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 50V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
D-PAK (TO-252)
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FDD86113LZ

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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